信息存储应用技术
  • 一种评估单片机中非易失性存储器数据残留的装置的制作五星体育
    本发明属于信息安全,涉及非易失性存储器的安全存储,具体涉及一种评估单片机中非易失性存储器数据残留的装置。随着信息存储技术的迅猛发展,固态存储技术得到广泛应用。固态存储器可以分为易失性存储器和非易失性存储器。与断电即失数据的易失性存储器相比,非易失性存储器在电源暂时中断或较长时间处于...
  • 离群位修复五星体育和存储器装置与五星体育
    本发明说明书主要是有关于一离群位修复技术,特别是有关于通过将存储器阵列分成多个区块进行边界读取操作的离群位修复技术。随存储器(例如:闪存(flashmemory))的工艺规格持续演进,通过微缩的技术,存储器的尺寸可制作地越来越小。然而,由于存储器的尺寸越来越小,导致愈来愈难达到应有的元件特...
  • 显示装置、栅极驱动电路、移位寄存电路及其驱动五星体育与五星体育
    本发明涉及显示,特别涉及一种显示装置、一种栅极驱动电路、一种移位寄存电路、一种移位寄存电路的驱动五星体育。在显示,特别是在lcd(liquidcrystaldisplay,液晶显示器)和oled(organiclightemittingdiode,有机发光二极管)的显示中,go...
  • 辅助电路、存储器系统及将读辅助给多存储器单元的五星体育与五星体育
    本发明的实施例涉及辅助电路、存储器系统以及读辅助供给五星体育。数据存储器件是用于写入和/或读取电子数据的电子器件。数据存储器件可以实施为诸如随机存取存储器(ram)的易失性存储器,其通常需要电能保持其存储的信息,或者实施为诸如只读存储器(rom)的非易失性存储器,即使在没有供电时其也可以保持其...
  • 一种NOR FLASH的高温应用五星体育及系统与五星体育
    本申请涉及芯片存储领域,具体涉及一种norflash的高温应用五星体育及系统。非易失性存储器芯片的数据保持时间受环境温度的影响很大,环境温度越高,非易失性存储器芯片的数据保持时间越短。在norflash中,“0”表示浮栅中存在较多电子,对应的存储单元的阈值电压较高,通常介于6v-8v,“1”表...
  • 存储器装置中多个块的擦除的制作五星体育
    本申请案大体来说涉及存储器装置。存储器装置通常作为内部半导体集成电路而设置在计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其资料,且易失性存储器的实例包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存...
  • 写入线电路、浮置数据线电路及其五星体育与五星体育
    本发明的实施例一般地涉及半导体,更具体地,涉及写入线电路、浮置数据线电路及其五星体育。存储器阵列通常包括布置为多列和多行的存储单元,其中,多列对应于比特位置并且多行对应于字位置。在这种配置中,在读和写操作期间,在与给定字对应的行位置处通过一条或多条字线激活与给定字相关联的多个存储单元,...
  • 包括页缓冲器的存储器装置的制作五星体育
    各种实施方式总体上涉及一种存储器装置,更具体而言,涉及一种包括页缓冲器的存储器装置。在易失性存储器装置中,写入速度和读取速度高,但是如果供电中断则会丢失存储的数据。在非易失性存储器装置中,写入速度和读取速度相对较低,但是即便供电中断也可以保留存储的数据。因此,为了无论供电状态如何都保留存储...
  • 快闪存储器装置及其编程五星体育与五星体育
    本发明涉及一种快闪存储器装置及其编程五星体育。随着电子产品的普及化,为因应使用者大量的信息需求,提供高质量的数据存储媒介成为电子产品重要的规格之一。在现今的中,可提供数据写入以及读取能力的快闪存储器成为电子产品必备的数据存储媒介。当针对快闪存储器进行编程动作时,第一次的编程电压的设定较...
  • 半导体存储装置的制作五星体育
    [相关申请]本申请享有以日本专利申请2018-125194号(申请日:2018年6月29日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。实施方式涉及一种半导体存储装置。已知有三维地排列着存储单元的半导体存储器。发明内容实施方式提供一种能够提高写入动作的可靠性的半导...
  • 半导体存储装置及存储器控制器的制作五星体育
    分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2014年9月5日、申请号为201410454147.8、发明名称为“半导体存储装置及存储器控制器”的发明专利申请案。[相关申请案]本申请案享有将日本专利申请案2014-53018号(申请日:2014年3月17日)作为基础申请案的优先权。本申...
  • MRAM存储器单元、阵列及存储器的制作五星体育
    本发明涉及磁存储器,尤其涉及一种mram存储器单元、阵列及存储器。传统磁存储器(magneticrandomaccessmemory,简称mram)的存储单元的核心部分是磁隧道结mtj,mtj是一个由多层膜组成的两端口结构器件,其核心部分主要由三层薄膜组成,两个铁磁层被一个隧穿势垒...
  • 存储器装置及其操作五星体育与五星体育
    本申请要求于2018年6月29日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0076112号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。本发明构思涉及存储器装置及其操作五星体育,更具体地讲,涉及能够从一个或多个存储器单元稳定地接收功率的相变存储器装置及其控制五星体育。根据对存储器装...
  • 存储器控制设备和包括该设备的存储器系统的制作五星体育
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2018-0075930的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。背景(a)领域所描述的技术大体上涉及存储器控制设备和包括该设备的存储器系统。(b)相关技术的描述正在开发下一代半导体存储器,以满足半导体存...
  • 电阻式存储器及写入五星体育与五星体育
    本发明有关于一种储存装置,特别是有关于一种电阻式存储器及写入五星体育。非挥发性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点,因此是许多电器产品维持正常操作所必备的存储器件。目前,电阻式随机存取存储器是业界积极发展的一种非挥发性存储器,其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、记忆时间长、非破坏性读...
  • 第四代双倍数据率内存的输入输出驱动器的制作五星体育
    本发明是关于内存输入输出驱动器,尤其是关于第四代双倍数据率内存的输入输出驱动器。双倍数据率(doubledatarate,ddr)内存广泛地应用于多种数字处理系统单芯片(system-on-a-chip,soc)。如图1所示,soc利用内建的ddr控制器110,经由ddr控制器110的dd...
  • 存储器装置、存储器输入/输出电路及其五星体育与五星体育
    本发明的实施例涉及一种存储器装置、存储器输入/输出电路及其五星体育。一种常见类型的集成电路存储器是静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory,sram)装置。典型的sram存储器装置具有由存储器单元形成的阵列。每一存储器单元使用例如连接在上部参考电位与下部参考电位(通...
  • 存储系统和存储控制装置的制作五星体育
    本申请涉及存储,更具体地,涉及存储系统和存储控制装置。为了保证存储设备的可靠性,存储设备会设置2个端口(port),该2个端口分别与2个控制器连接,该2个控制器独立解耦。如果存储设备的2个端口中的一个端口失效,对应的控制器就会将该存储设备标记为故障。这种现象可以称为丢盘。该存储设备...
  • 存储器、其写入五星体育与读取五星体育与五星体育
    本申请涉及存储领域,具体而言,涉及一种存储器、其写入五星体育与读取五星体育。mtj(磁性隧道结):基于磁性隧道磁阻(tmr)效应,由两个磁性层和介于两个磁性层中间的介质层组成,两个磁性层分别为第一磁性层和第二磁性层,其中,第一磁性层的磁化取向固定,称为固定层;第二磁性层的磁化取向可通过磁场或电流改...
  • 存储器件的制作五星体育
    本发明的实施例涉及半导体领域,并且更具体地,涉及存储器件。许多现代电子器件包含电子存储器,诸如硬盘驱动器或随机存取存储器(ram)。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在没有电源的情况下保留其存储的数据,而易失性存储器在断电时丢失其数据存储器内容。磁隧道结(mt...
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